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Si6967DQ
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
-8
R DS(on) ( Ω )
0.030 at V GS = - 4.5 V
0.045 at V GS = - 2.5 V
I D (A)
± 5.0
± 4.0
? Halogen-free
? TrenchFET ? Power MOSFETs: 1.8 V Rated
RoHS
COMPLIANT
0.070 at V GS = - 1.8 V
± 3.0
TSSOP-8
S 1
S 2
D 1
S 1
S 1
G 1
1
2
3
4
Si6967DQ
8
7
6
5
D 2
S 2
S 2
G 2
G 1
G 2
Top View
Ordering Information: Si6967DQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
D 1
D 2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
-8
±8
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a, b
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction) a, b
Maximum Power Dissipation a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
I S
P D
T J , T stg
± 5.0
± 4.0
± 30
- 1.25
1.1
0.72
- 55 to 150
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
t ≤ 10 s
Steady State
R thJA
115
110
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board.
b. t ≤ 10 s.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm.
Document Number: 70811
S-81221-Rev. D, 02-Jun-08
www.vishay.com
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